CMP事業 STB課|ケメット・ジャパンのCMP事業

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研削 / CMP / ダイシング / ペレットチャージ / 外観検査

膜付ガラスやセラミックスなど脆く硬い材質のダイシング加工から、シリコンウェハの裏面研削加工(BG)及びポリッシュ加工(CMP)、ダイシング加工(ベベルカット、ステップカット)、ウェハ加工後のチップソート等幅広く御対応し、半導体ウェハを製造するメーカーとそれを組み立てるメーカーとのパイプの役目を担っております。
研削・CMP・ダイシング・ペレットチャージ・外観検査

研削工程 バックグラインド加工
裏面研削加工を100µm以下の薄物でも安心して御依頼頂けますよう、BG加工後のポリッシュ加工、ダイサーを同一ルーム内に設置しています。また後工程研削向けに各種保護シートを保有しBUMP付き、Bad Mark付きのウェハにも対応いたします。
φ6”、φ8”、φ12”ウェハ対応
研削工程 バックグラインド加工

CMP工程 ポリッシュ加工
シングルカット、ステップカット,Vカット(ベベルカット)等各種のダイシング加工が可能です。シリコン(Si)・光学系ガラスをメインに各種セラミック、合成石英、FR4、FPC、樹脂にも対応致します。
チップ1ヶ、ウ ェハ1枚から加工対応致しますので、お気軽にご相談ください。
φ2”、φ3”、φ4”、φ5”、φ6”、φ8”、 φ12”ウェハ対応
CMP工程 ポリッシュ加工

ペレットチャージ工程 チップ移載加工
パーティクル(異物)付着に細心の注意を払いフルカバークリーンファン付き、又はクリーンブース内の設備で御対応致します。 チップトレイ、JEDECトレイ、エンボステープへのウェハからの詰め替え対応をバットマーク、ウェハマップデータのどちらでも対応可能な設備を保有しております。
極小チップ(0.7×0.7)、長細チップ(0.8×25.0)等の様々なチップに対応致します。
対応ウェハサイズ:
φ2”、φ3”、φ4”、φ5”、φ6”、φ8”、φ12”
対応トレイサイズ:
2”、3”、4”トレイ、及びJEDECトレイ、
エンボステープ
ペレットチャージ工程 チップ移載加工

外観検査工程
熟練された作業者(認定制度)によりお客様の仕様に併せて全数検査、抜き取り検査、ウェハ状態での検査等を致します。
作業は全てクリーンルーム内のクリーンブース、クリーンベンチ内でパーテ ィクル、ESDに注意を払い行います。実体顕微鏡、金属顕微鏡どちらでも対応可能です。
実体顕微鏡、金属顕微鏡使用
検査倍率:10~200倍
外観検査工程

抗折強度
ウェハの薄型化に伴い、チップの抗折強度も注目されております。
チップの抗折強度の評価・確認が可能です。(最大荷重 100N)
*ニュートン、グラム、メガパスカルでのデータ出力が可能です。
抗折強度

厚さ測定(接触式)
ウェハ状態からチップの厚さまで、精度良く測定する事が可能です。
ウェハ及びチップの厚さ測定が可能です。(0.001umまでの測定可能)
厚さ測定(接触式)

粗さ測定(接触式)
裏面研削後の面粗さの測定を行います。
ウェハ裏面研削後の面粗さ状態の確認が可能です。
(Ra≧0.001以上 測定が可能です)
チップの抗折強度の評価・確認が可能です。(最大荷重 100N)
*Ra,Rz,Ry,Rmax,Sm,S,tpなど出力パラメーターは全部で34種類
抗折強度

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